삼성전자가 30나노급 공정을 적용한 D램 개발에 세계 최초로 성공했다.
삼성전자는 1일 30나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 지난달 개발해냈으며 하반기부터 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다.
30나노급 공정이란 반도체 소자에 들어가는 회로의 선폭이 30nm(나노미터)급임을 의미한다.
삼성전자에 따르면 해당 제품은 기존 40나노급 D램보다 생산성을 60% 가량 올릴 수 있고 50∼60나노급 D램에 비해서는 두 배 이상의 원가 경쟁력을 갖고 있다.
또 30나노급 D램은 50나노급 D램에 비해 소비전력을 약 30% 가량 줄일 수 있으며 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력이 적다.
개발 기간을 대폭 앞당긴 대목에도 눈길이 쏠린다.
이번에 개발된 30나노급 DDR3 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 지 1년만에 개발됐다. 50나노급 공정 개발 뒤 40나노급 공정을 개발하기까지 2년4개월이 걸린 바 있다.
삼성전자 관계자는 "그간 D램의 셀 구조상 현재의 생산 공정에서는 40나노급 D램이 한계로 여겨져 왔다"며 "40나노급 D램 개발 1년 만에 한계를 극복해냈다"고 말했다.
회사 측은 이미 지난해 12월 30나노급 2Gb DDR D램 단품과 노트북용 3기가바이트(GB) 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난달 중순까지 평가도 마친 상태다.
삼성전자는 서버 솔루션으로는 1.35V 전압에서 1.6Gbps (Giga-bit Per Second; 초당 1.6기가비트)인 제품을, PC 솔루션으로는 1.866Gbps 제품까지 공급할 계획이다.
PC 솔루션 D램의 최고 동작속도는 60나노급 DDR2 D램에 비하면 약 3배, 40나노급 DDR3 D램에 비하면 40%가 더 빠른 것이다.
조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 "30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상 벌려놨다"며 "이를 발판으로 시장 점유율을 지속적으로 확대해나갈 것"이라고 밝혔다.
