[컨슈머타임스 이정은 기자] 삼성전자는 차세대 모바일 기기, 메모리 카드, SSD(Solid State Drive) 등의 제품에 탑재할 차세대 고속 낸드플래시 기술을 개발하고 플래시 메모리 시장의 성장을 이끌 계획이라고 22일 밝혔다.

이와 관련 삼성전자는 차세대 고속 낸드플래시의 인터페이스 규격인 'Toggle DDR(Double Data Rate) 2.0'이 시장 표준으로 자리잡을 수 있도록 내년 초까지 세계반도체표준협의기구(JEDEC) 표준 등록을 완료할 예정이다.

Toggle DDR 2.0은 작년 삼성전자가 세계 최초로 생산한 'Toggle DDR 1.0' 방식의 30나노급 32기가바이트(Gb) 고속 낸드플래시에 이은 것으로 내년부터 본격 양산된다.

차세대 고속 낸드플래시를 이용시 기존 낸드플래시보다 10배 빨라진 400Mbps(Megabit per Second) 속도로 데이터 처리가 가능하다.

또한 이를 SATA2(Serial Advanced Technology Attachment2) SSD에 탑재할 경우 현재보다 읽기와 쓰기 속도는 두 배로 높아진다.

일본의 도시바사도 Toggle DDR 2.0'의 표준화 작업에 참여키로 결정했다.

전동수 삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 부사장은 "삼성전자는 4세대 스마트폰, 태블릿 PC, SSD 등 여러 제품에 탑재돼 수요가 크게 증가할 고속 낸드플래시 시장을 이끌어 갈 것"이라고 말했다.

이정은 기자