삼성전자는 이달 말부터 40나노급 미세공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품을 본격 양산한다고 21일 밝혔다.
올 1월 40나노급 D램을 개발한 지 6개월 만에 양산 체제로 들어가는 것이다.
40나노급 2Gb DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 50나노급 제품에 비해 생산성이 60% 정도 높다.
40나노급 2Gb DDR3 D램은 1.35V 동작전압에서도 기존 1.5V 제품에 비해 20% 정도 빠른 1.6Gbps(초당 1천600 메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현할 수 있다.
전력소모도 기존 DDR2 D램보다 적어 친환경적이다.
삼성전자는 40나노급 2기가비트 DDR3 D램의 주력 공급 제품은 동작전압이 1.35V로, 기존 1.5V 제품에 비해 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 빠른 데이터 처리 속도를 구현한다.
삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 △ 서버용 16기가바이트(GB) 및 8기가바이트 모듈(RDIMM), △ 워크스테이션, 데스크 탑 PC용 4기가바이트 모듈(UDIMM), △ 노트북 PC용 4기가바이트 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급할 계획이다.
삼성전자는 앞으로도 차별화된 차세대 고용량, 고성능 D램 제품을 선행 개발하여 업계 최고의 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 예정이다.
한편, 반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 급격하게 늘어날 것으로 예상된다.
2기가비트 D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것으로 예상된다.
최미혜 기자 lmisonaral@naver.com
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