미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 이번 '플래시 메모리 서밋 2017(Flash Memory Summit)'은 매년 현지에서 개최돼왔다. 플래시 메모리 업계 관계들이 주로 참석하며 이번 일정은 오는 10일까지 3일 일정으로 진행 중이다.
삼성전자는 컨퍼런스에서 △세계 최대 용량의 '1Tb V낸드' △서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 'NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD' △기존 고체 SSD보다 성능을 획기적으로 향상시킨 'Z-SSD' △신개념 데이터 저장방식을 적용한 'Key Value SSD' 등 혁신적인 V낸드 기반 신기술을 공개했다.
삼성전자가 공개한 1Tb 낸드는 데이터를 저장하는 '3차원 셀(Cell)' 용량이 기존(512Gb)보다 2배 늘어났다.
1Tb 낸드는 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2Tb를 만들 수 있다. 고체형 정보저장장치(SSD)의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다는 것.
삼성전자는 1Tb V낸드가 적용된 최대용량의 SSD 제품을 오는 2018년에 본격 출시할 예정이다.
삼성전자는 서버 시스템 내 저장장치의 공간활용도를 극대화 할 수 있는 신규 SSD 규격인 'NGSFF SSD'도 발표했다.
기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 'NGSFF SSD'로 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상시킬 수 있다.
이날 서밋에서 삼성전자는 16Tb 'NGSFF SSD' 36개를 탑재한 576Tb의 레퍼런스 시스템(1U)을 공개했다. 2U 시스템으로 1PB(페타바이트)의 스토리지 시스템을 구현할 수 있다.
삼성전자는 'NGSFF SSD'를 올 4분기부터 양산해 고객 수요에 대응한다. 내년 1분기에는 반도체 표준 단체 'JEDEC'의 표준화를 완료할 예정이다. 이를 통해 데이터센터와 다양한 서버 고객들이 더욱 효율적으로 시스템을 구축할 수 있게 될 전망이다.
이날 함께 발표한 'Z-SSD'는 최적화된 동작회로를 구성해 성능을 극대화한 하이엔드 SSD제품이다. 기존 NVMe SSD 대비 읽기 응답속도가 7배 빠른 15㎲다. 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서 최대 12배까지 향상된 응답속도 구현이 가능하다.
삼성전자 관계자는 "실시간 빅데이터 분석, 고성능 서버용 캐시 등 빠른 응답성이 요구되는 분야에 'Z-SSD'가 최적의 솔루션이 될 것"이라고 말했다.
삼성전자는 지난해 플래시 메모리 서밋에서 Z-SSD를 첫 공개했고 현재 샘플을 통해 다양한 업체들과 협력방안을 논의 중이다.
삼성전자는 이날 서밋에서 비정형 데이터 저장에 특화된 신개념 'Key Value SSD'도 함께 선보였다.
기존 SSD은 다양한 종류, 크기의 데이터를 저장할 때 특정 크기로 변환해 저장하는 방식을 사용하고 있다. Key Value SSD 기술은 별도의 전환과정 없이 다양한 데이터를 있는 그대로 저장할 수 있다. 이는 시스템의 데이터 입출력 속도를 높일 수 있고 SSD의 수명도 향상 시킬 수 있다.
진교명 삼성전자 메모리사업부장은 "지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해 고객 가치를 극대화 하고 향후 인공지능(AI), 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것" 이라고 말했다.
삼성전자는 2013년 세계 최초 V낸드(1세대, 24단) 양산을 시작으로 올해 4세대 V낸드를 양산하는 등 낸드플래시 사업에 주력하고 있다.
