[컨슈머타임스 박준응 기자] 삼성전자가 글로벌 메모리 선도기업으로서 초격차 경쟁력을 다시 한 번 뽐냈다.
삼성전자는 역대 최고 수준의 공정개발 난제를 극복하고 세계 최초로 '10나노급 2세대(1y나노) D램'을 양산한다고 20일 밝혔다.
삼성전자는 지난달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급 8Gb DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다. 이는 지난해 2월 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 후 21개월 만에 거둔 성과다.
특히 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 대응할 수 있게 됐다.
삼성전자는 2012년에 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3 보다 용량, 속도, 소비전력효율을 2배 향상한 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해 일부 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 전환한다.
이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 △초고속·초절전·초소형 회로 설계 △초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계 △2세대 에어 갭(Air Gap) 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다.
초고속·초절전·초소형 회로 설계가 적용된 2세대 10나노급 D램은 기존 1세대 10나노급 D램 대비 속도는 10% 이상 향상됐고 소비 전력량은 15% 이상 절감됐다.
또 초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계로 초정밀 전압차이 감지 시스템을 개발해 셀에 저장된 데이터를 더욱 정밀하게 확인할 수 있게 됐다. 이를 통해 셀 데이터 읽기 특성이 2배 이상 향상됐다.
2세대 에어 갭(Air Gap) 공정은 전류가 흐르는 비트라인(bit line) 주변의 미세 영역을 특정 물질 대신 절연효과가 뛰어난 공기로 채우는 공정 기술이다. 이를 통해 비트라인 주변에서 발생되는 불필요한 전하량을 최소화해 초고감도 셀 개발이 가능하며, 셀 배열의 집적도를 향상 시켜 칩 사이즈를 대폭 줄일 수 있다.
삼성전자는 이러한 첨단 혁신 공정 기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3, 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 업계 최초로 확보했다.
진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 "발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다"며, "향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것"이라고 강조했다.
