6세대 V낸드는 전기가 통하는 몰드 층을 136단 쌓은 후, 미세한 원통형의 구멍을 한 번에 뚫어 셀 구조물을 연결함으로써 균일한 특성의 3차원 CTF셀을 만들어 냈다.
또 초고속 설계 기술을 적용해 데이터 쓰기 지연 시간은 450나노초 이하, 읽기 응답 대기 시간은 45나노초 이하로 낮췄다. 동작 전압도 15% 이상 줄였다.
삼성전자는 이번 256Gb SSD 양산을 시작으로 글로벌 고객 수요 확대에 맞춰 하반기 512Gb SSD와 eFUS 등 다양한 용량과 규격의 제품을 출시할 계획이다.
또 내년부터 평택 V낸드 전용 라인에서 성능을 더욱 높인 6세대 V낸드 기반 SSD 라인업을 본격적으로 확대할 예정이다.
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