SK하이닉스, '10나노 1c' 기술개발 성공…HBM에도 적용 목표

컨슈머타임스=이승구 기자 | SK하이닉스가 세계 최초로 '10나노 6세대'(1c) 기술 개발에 성공한 데 이어 해당 공정을 'DDR5 D램'은 물론 '고대역폭 메모리'(HBM)에도 확대 적용한다.

SK하이닉스는 10일 자사 뉴스룸을 통해 1c 기술 개발 과정과 혁신 기술 역량, D램 기술 로드맵에 대해 조명하는 임원들의 좌담회 내용을 공개했다.

앞서 SK하이닉스는 지난달 29일 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공한 바 있다. 이 제품은 고성능 데이터센터에 주로 활용될 예정으로, 내년부터 본격 공급된다.

반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있다. 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대)에 이어 1c는 6세대 기술이다. 세대를 거듭할수록 기술 난도가 크게 올라 수율 확보, 시간 단축 등에 어려움이 따른다.

이에 대해 정창교 D램 PE(프로덕트 엔지니어링) 담당 부사장은 1c 기술에서 주요 성능의 수준을 높이는 트리밍 기술을 활용해 수율과 품질을 확보했다고 설명했다. 트리밍 기술은 반도체 설계 변경 없이 전자식 퓨즈(eFuse)를 활용해 성능을 상향시키는 기술이다.

또한 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발 시간과 시행착오도 줄였다.

1c 테크 태스크포스(TF)에 속한 오태경 부사장은 "1c 기술 개발을 총괄한 1c 테크 TF의 가장 큰 목표는 '1등 개발'이었다"며 "이를 위해 이미 우수성이 증명된 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발하는 전략을 선택했다"고 밝혔다.

이어 "기존의 3단계(테스트·설계·양산 준비) 개발 방식을 2단계(설계·양산 준비)로 효율화했으며, 커패시터 모듈과 같은 고난도의 기술 요소를 양산 공정에서 바로 개발하는 방식을 택했다"고 덧붙였다.

이를 통해 전 세대 제품 대비 2개월이나 시간을 단축했고, 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오도 줄일 수 있었다고 한다.