[컨슈머타임스 장건주 기자] 삼성전자가 업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 활용한 D램 양산 체제를 갖췄다.
삼성전자는 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1나노는 10억분의 1미터) DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 전 세계 주요 고객에 공급했다고 25일 밝혔다.
EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 된다. 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.
삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 '4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술'을 개발하고 있다. 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다. 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높일 수 있다.
삼성전자는 내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5~6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다"며 "혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 성장에 기여할 것"이라고 말했다.
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